Was ist die Atomlagenabscheidung (ALD)?
ALD oder Atomic Layer Deposition, eine Unterklasse der chemischen Gasphasenabscheidung, basiert auf der Anwendung eines chemischen Prozesses in der Gasphase. Die meisten ALD-Reaktionen verwenden zwei Chemikalien: Präkursoren oder Reaktanten. Diese reagieren nacheinander, sequenziell, auf der Oberfläche eines Materials. Durch wiederholte Exposition gegenüber getrennten Reaktanten wird langsam ein dünner Film abgeschieden.
Bei der Atomlagenabscheidung wird die Oberfläche eines Films, der auf einem Substrat entwickelt wird, den Reagenzien ausgesetzt. Diese Präkursoren werden ohne Überschneidung in einer Reihe von sequenziellen Pulsen zugeführt. Die reaktiven Moleküle reagieren bei jedem der Pulse mit der Oberfläche, sodass die Reaktion nach dem Verbrauch aller reaktiven Stellen auf der Oberfläche abgeschlossen ist.
Die Art der Wechselwirkung zwischen Oberfläche und Präkursor bestimmt die maximale Materialmenge, die nach der Exposition gegenüber allen Präkursoren abgeschieden wird, einen sogenannten ALD-Zyklus. Durch Variieren der Anzahl der Zyklen ist es möglich, Materialien gleichmäßig und mit hoher Präzision auf großen und komplexen Substraten wachsen zu lassen.
Die Moleküllagenabscheidung (MLD) ist das Schwesterverfahren zur ALD. Sie wird angewendet, wenn organische Präkursoren verwendet werden. Die Kombination der beiden Techniken, ALD/MLD, ermöglicht die Herstellung hybrider, hochreiner Schichten, die für ein breites Spektrum von Anwendungen geeignet sind.
Handschuhboxen für organische Elektronik
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Es ist mit einem externen Rahmen ausgestattet, der die Integration in die Handschuhbox mit einem Edelstahlflansch ermöglicht. Der Einbau kann seitlich, an der Rückseite der Handschuhbox oder am Boden erfolgen. Es ist mit den meisten hergestellten Handschuhbox-Modellen kompatibel, sofern eine entsprechende Schnittstelle vorhanden ist.
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